Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente

3 Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher (S. 271)

Das zweite Hauptthema des vorliegenden Buches befasst sich mit vertikalen, Silizium-basierten Speicherstrukturen, wobei unter „vertikal" in erster Linie der vertikale Aufbau des Auswahltransistors verstanden wird. Konkret sollen in diesem Kapitel Konzepte für vertikale DRAMs, SRAMs und EEPROMs (Flash-PROMS) besprochen werden. Dabei wird sich auch hier nicht nur auf die in den Tabellen E.7. und E.8. der Einleitung dieses Buches aufgeführten Konzepte beschränkt. Es werden auch Konzepte, die in anderen Quellen diskutiert und vorgestellt wurden, bzw. neuere, unpublizierte Konzeptansätze vorgestellt.

3.1 Vertikale DRAM-Konzepte

Neben den CMOS-Invertern gehören DRAMs zu den wichtigsten Bauelementen der Silizium-basierten Halbleiterelektronik, da die Entwicklung hochleistungsfähiger Logikschaltungen fest mit der Entwicklung schneller, kostengünstig produzierbarer Speicher mit hohem Fassungsvermögen (das bedeutet eine hohe Anzahl von Bits pro Chipfläche) verknüpft ist und DRAM-Speicher das Potenzial besitzen, alle dafür erforderlichen Kriterien (schnell, kostengünstig, hohe Bitdichte) zu erfüllen. Das bedeutet aber zwangsläufig, dass DRAM-Zellen dem gleichen „Skalierungsdruck" wie CMOS-Schaltungen unterworfen waren und sind. Dabei bezieht sich dieser Skalierungsdruck stets auf die lateralen Ausdehnungen der Bauteile. Lässt man für den Moment die aktuelle „H "-Entwicklung146 außeracht, dann ergibt sich die zu überwindende Schwierigkeit, dass der Speicherkondensator selbst nicht skalierbar ist, wie die folgende Abschätzung für die sogenannte T-Zelle mit einem lateralen Auswahltransistor und einem planaren Speicherkondensator zeigt: Um verlässlich die in der Zelle eingeschriebene Speicherinformation für die technisch geforderte Zeit halten zu können, müssen genügend Ladungen im Speicherkondensator gespeichert werden können.